B2D06065E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252N-2L 類別:碳化硅二極管 最小包裝:2500/圓盤 參數1:IF:6A 參數2:VR:650V 參數3:VF:1.36V 參數4:二極管配置:獨立式 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為單體結構,額定正向電流(IF)為6A,反向耐壓(VR)為650V,正向導通壓降(VF)典型值為1.36V。采用碳化硅材料,具備優異的高頻開關能力與熱導性能,可承受較高的結溫運行。其低反向漏電流與快速恢復特性,有助于減少開關過程中的能量損耗。適用于高效率直流-交流轉換設備、高性能電源模塊、儲能系統中的整流與續流電路,以及對能效和空間利用率有較高要求的電力變換裝置。
