IPD65R420CFDA-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具備650V漏源電壓（VDSS）和15A連續漏極電流（ID），導通電阻低至260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，該器件在高電壓、高頻率工作條件下仍能保持優異的開關性能與熱穩定性。典型應用場景涵蓋高效能電源系統、太陽能逆變裝置、數據中心電源模塊及高密度能源轉換設備，適用于對能效與功率密度有較高要求的電力電子設計。
