R6509KND3TL1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關(guān)特性與熱穩(wěn)定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高頻工作，有效降低開關(guān)損耗，適用于高密度電源系統(tǒng)，如高效開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換模塊及高功率密度適配器等場景，可提升系統(tǒng)整體能效與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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