GC125N65FF_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保器件在復雜電磁環境中具備良好的開關穩定性與抗干擾能力。基于碳化硅材料特性，該器件支持高頻工作，具有優異的熱性能和較低的開關損耗，典型應用于大功率電源變換器、可再生能源逆變系統及高密度電源模塊中，適合對能效和功率密度有嚴苛要求的場景。
