STD18N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動控制。基于碳化硅材料的特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作能力與快速開關(guān)性能，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。典型使用場景包括高壓直流變換器、不間斷電源系統(tǒng)、可再生能源發(fā)電設(shè)備中的逆變單元以及對功率密度和熱管理要求較高的緊湊型電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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