IPD65R380C6BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，可在較高電壓與電流條件下實現較低的導通損耗。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優異的耐高溫性能和快速開關能力，適用于高頻率、高效率的功率變換系統，如開關電源、DC-DC轉換模塊及可再生能源逆變裝置，有助于提升整體能效與系統緊湊性。
