GC3M0021120K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其最大漏極電流ID為81A，典型導(dǎo)通電阻RDON低至21mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料的使用賦予器件更高的擊穿電壓、熱穩(wěn)定性和開關(guān)速度，適用于高功率密度和高頻開關(guān)場景。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源設(shè)備及精密電力電子裝置中，為復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運行提供保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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