NTD250N65S3H-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，可減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠驅(qū)動(dòng)與保護(hù)。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開關(guān)性能、高溫穩(wěn)定性和低開關(guān)損耗，適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換電路。典型應(yīng)用包括高效開關(guān)電源、直流變換模塊、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的逆變單元以及對(duì)熱管理和能效要求較高的電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
