IPA65R280C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保驅動穩定性與器件可靠性。得益于碳化硅材料的高耐壓與低反向恢復電荷特性，該器件適用于高頻開關環境。典型應用包括高效能電源模塊、高壓直流變換裝置、可再生能源發電逆變系統以及高功率密度開關電源設計，適合對熱性能和轉換效率有較高要求的電力電子應用場合。
