IPD65R225C7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，可有效降低開關與導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極控制?；谔蓟璨牧系奶匦裕骷邆鋬灝惖母哳l開關能力與熱穩定性，適用于高功率密度的電源轉換設計。典型應用包括高效直流-直流變換器、功率因數校正電路及高壓電源模塊，適合對能效與系統體積有較高要求的電力電子場景。
