FCPF260N65FL1-F154-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的持續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，可減少導(dǎo)通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保可靠的柵極控制與器件穩(wěn)定性。基于碳化硅材料特性，該器件具有優(yōu)異的耐高溫性能和快速開關(guān)能力，適用于高密度電源系統(tǒng)、高效直流變換裝置及高頻率功率轉(zhuǎn)換電路，有助于提升系統(tǒng)能效并減小散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)，是先進(jìn)電力電子應(yīng)用中的關(guān)鍵功率開關(guān)元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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