IXTY8N65X2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為460mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的柵極驅動控制。得益于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件適用于高頻開關電源、高效直流-直流轉換器、光伏逆變裝置及高功率密度電源模塊等應用，可在高電壓、高溫環境下保持良好性能，有效減少能量損耗并優化熱管理設計。
