G3R30MT12K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），基于碳化硅半導體技術，具備優異的高頻開關性能和低導通損耗特性。其最大連續漏極電流（ID）為80A，導通電阻（RDON）為25mΩ，有助于提升系統整體能效并減少發熱。適用于各類高效能電源轉換設備，如高密度電源模塊、可再生能源接入裝置及智能電力管理系統。器件具備良好的熱穩定性和耐高壓能力，能夠在復雜電磁環境中提供可靠、穩定的電力控制表現。
