VBP112MC60-4L_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體技術，具有高耐壓、低導通電阻和優異的開關特性。最大連續漏極電流（ID）為60A，典型導通電阻（RDON）僅為40mΩ，支持高效、高密度功率設計。適用于高效率電源轉換系統、高頻開關電源以及其他對性能和可靠性有嚴苛要求的電力電子設備。優化的器件結構提升了熱管理能力，確保在復雜電氣環境中的穩定運行。
