FCPF150N65F-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的驅動控制與過壓保護。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，器件具備優異的高溫工作穩定性、快速開關能力及抗雪崩性能。適用于高頻率功率變換電路、高效能源轉換裝置、不間斷電源系統以及要求高耐壓、低損耗的電力電子拓撲結構中的核心開關應用。
