STF18N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅半導體材料，該器件具備優異的高溫工作性能和快速開關特性，適用于高效率電源轉換系統、高頻逆變電路及緊湊型功率模塊，能夠有效提升系統能效，減小體積與熱管理復雜度，滿足高性能電力電子設計對功率密度和可靠性的要求。
