NTPF250N65S3H-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源耐壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻低至160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，兼容常規(guī)驅(qū)動電路，確保柵極控制的穩(wěn)定性。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的開關(guān)性能、高溫工作能力及抗輻射性能。適用于高功率密度電源系統(tǒng)，如大功率開關(guān)電源、高效DC-DC轉(zhuǎn)換模塊、不間斷電源（UPS）、通信電源及可再生能源發(fā)電中的逆變與轉(zhuǎn)換電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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