AOTF11S65L_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）為260mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)控制。依托碳化硅材料的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)與優(yōu)良熱導(dǎo)率，該器件可在較高結(jié)溫下可靠運(yùn)行，具備優(yōu)異的開關(guān)特性與耐壓能力。適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如不間斷電源、高壓直流變換器、太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的功率模塊以及緊湊型高功率電源裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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