PCDB0665G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高壓功率轉換場合。其正向導通壓降（VF）為1.36V，在導通狀態下能量損耗較低，有助于提升系統效率。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性和高溫工作穩定性，反向恢復特性接近理想狀態，可有效減少開關損耗。適用于高頻率、高效率要求的電源拓撲結構，如高效AC-DC、DC-DC轉換器、服務器電源及可再生能源發電系統中的功率整流環節。
