LSIC2SD065D08A-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管為獨立式器件，具有8A的正向電流（IF）和650V的反向重復(fù)電壓（VR），正向壓降（VF）低至1.42V。基于碳化硅材料的優(yōu)異特性，器件具備快速恢復(fù)能力和較低的開關(guān)損耗，適用于高頻、高效率的電力轉(zhuǎn)換電路。其良好的熱導性能和耐高溫特性，有助于提升系統(tǒng)在嚴苛工作條件下的穩(wěn)定性，常用于高性能電源模塊、可再生能源逆變系統(tǒng)及高密度電源設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
