R6524ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備650V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至160mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)控制。得益于碳化硅材料的特性，器件具有優(yōu)異的高溫工作性能和快速開(kāi)關(guān)能力，可有效降低系統(tǒng)損耗。典型應(yīng)用包括高頻DC-DC變換器、電源模塊、太陽(yáng)能逆變系統(tǒng)及高密度電源轉(zhuǎn)換裝置，適合對(duì)能效和功率密度有較高要求的場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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