IPD65R190C7ATMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源擊穿電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的高頻開關性能與高溫工作能力。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、不間斷電源（UPS）、儲能系統中的DC-DC變換器及光伏逆變模塊，有助于提升系統能效并減小被動器件體積。
