R6524KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為160mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動控制。基于碳化硅材料特性，該器件具備優(yōu)異的高頻開關(guān)能力、高溫工作穩(wěn)定性及較低的開關(guān)損耗。適用于高效率開關(guān)電源、高壓直流變換裝置、可再生能源發(fā)電逆變單元及高功率密度電源系統(tǒng)，尤其適合對熱管理性能和能量轉(zhuǎn)換效率有較高要求的電力電子設(shè)計場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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