IPAN60R125PFD7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為110mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定可靠的驅(qū)動(dòng)控制。得益于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作性能、高開關(guān)頻率能力及較低的反向恢復(fù)電荷，適用于高功率密度與高能效要求的電力電子設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用涵蓋高效電源轉(zhuǎn)換模塊、高壓直流變換裝置及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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