DI018N65D1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至160mΩ，可有效減少導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保柵極驅動的穩定性與器件可靠性。基于碳化硅材料特性，該器件支持高頻開關操作，具備優異的熱性能和耐壓能力。適用于高功率密度電源系統，如通信電源、大功率適配器、數據中心電源模塊以及可再生能源發電中的逆變與轉換電路，能夠提升系統轉換效率并降低散熱設計復雜度。
