C2M0025120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON低至25mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。采用碳化硅材料，具備更高的熱穩定性和工作頻率，適用于高功率密度電源系統、高效能變換器、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器以及其他需要高頻高效功率轉換的場景。器件結構設計優化，具備良好的短路耐受能力和可靠性，適合多種復雜工況下的穩定運行。
