G2R50MT33K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:3300V 參數3：RDON:50mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為高性能碳化硅（SiC）N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備高電流承載能力和優異的導熱性能。其漏極電流ID可達50A，漏源擊穿電壓VDSS高達3300V，導通電阻RDON低至50mΩ，確保在高電壓和高頻率工作條件下仍能保持較低的導通損耗與開關損耗。適用于高效能電源轉換系統、可再生能源設備、智能電網及高密度電力電子裝置中，為復雜工況下的穩定運行提供可靠支持。
