LSIC1MO120E0080_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)電性能與高效的開(kāi)關(guān)特性。其最大漏極電流ID為32A，導(dǎo)通電阻RDON低至75mΩ，能夠有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。高耐壓特性使其適用于多種高功率密度電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，如高效能電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)及高頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器。器件基于碳化硅材料，具備良好的熱穩(wěn)定性和抗輻射能力，適用于復(fù)雜電磁環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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