IPP65R190C6XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩(wěn)定的驅(qū)動控制與過壓保護(hù)。依托碳化硅材料的高臨界電場和熱導(dǎo)率特性，該器件具備優(yōu)異的高溫工作穩(wěn)定性與高頻開關(guān)能力，適用于高功率密度的電源系統(tǒng)，如高效AC-DC電源、DC-DC變換器及光伏逆變模塊，滿足對能效與散熱性能要求較高的電力電子設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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