MSJPF20N65A-BP-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保器件在驅動電路中的穩定開通與關斷。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性、耐高溫性能和較低的開關損耗。適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、高壓DC-DC變換器、儲能系統逆變單元及高密度電源模塊，可提升系統整體能效和功率密度。
