FCPF11N65-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，在高溫與高電壓工作環境下仍能保持良好性能。柵源電壓范圍-5V至!6V，支持穩定柵極驅動控制。碳化硅材料的應用顯著提升了器件的開關速度與耐熱性，有助于減小系統能量損耗。適用于高效率電源轉換設備、不間斷電源系統、太陽能逆變模塊及緊湊型高頻功率電路設計，滿足對功率密度與長期可靠性要求較高的應用場景。
