SIHF15N65E-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）典型值為160mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優異的高溫工作性能、高開關頻率能力與低開關損耗，適用于高效率電源轉換系統，如大功率開關電源、光伏逆變單元、儲能系統中的DC-AC變換模塊以及高密度DC-DC轉換電路，能夠滿足對功率密度與能效要求較高的應用場景。
