STF18N65DM2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至160mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持標準驅動電路，確保開關穩定性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，器件在高頻、高壓工作條件下仍能保持優異的開關性能與熱可靠性。適用于高功率密度電源系統，如高效開關電源、高壓直流變換模塊及可再生能源發電設備中的功率轉換單元，有助于提升系統整體能效并減小散熱設計復雜度。
