STF25N80K5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和13.3A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為200mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的優異特性，該器件具有出色的開關速度、耐高溫性能及長期工作可靠性，適用于高效率電源轉換系統，如高頻DC-DC變換器、大功率逆變裝置、新能源發電單元及高密度電源模塊，有助于提升系統功率密度與整體能效水平。
