IPA80R280P7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:13.3A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:200mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有800V的漏源電壓（VDSS）和13.3A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至200mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保可靠的柵極控制與器件保護。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的開關性能和高溫工作能力，可有效降低系統能量損耗。典型應用包括高功率密度電源、直流電壓變換模塊以及要求嚴苛的電力電子變換裝置，適合對熱管理和電氣效率有高要求的場景。
