SIHA21N80AE-GE3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源電壓（VDSS）和13.3A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至200mΩ，可有效減少導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保柵極驅(qū)動(dòng)的穩(wěn)定性與安全性。基于碳化硅材料的特性，器件具備出色的開關(guān)速度和熱導(dǎo)性能，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場景。典型應(yīng)用包括大功率開關(guān)電源、高壓直流變換器、太陽能發(fā)電逆變單元、儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度電源適配設(shè)備，適合在高電壓和高溫環(huán)境下長期穩(wěn)定運(yùn)行。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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