R6520ENXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:160mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效減少導通損耗，提升系統能效。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的高開關速度與耐高溫特性，該器件適用于高頻率、高效率的電力電子應用，如高壓DC-DC轉換器、不間斷電源、可再生能源發電中的逆變電路以及高功率密度電源系統，有助于實現更緊湊的設計與更高的能量轉換效率。
