IPA60R120P7-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，支持-4V至!8V的柵源電壓范圍。器件利用碳化硅材料的高臨界電場特性，具備優異的開關速度與高溫工作穩定性。相比傳統硅基器件，其開關損耗顯著降低，適用于高頻率、高效率的功率轉換電路。典型應用場景包括大功率開關電源、高效DC-DC變換器、儲能系統中的逆變單元及高密度電源模塊，有助于提升系統能效與功率密度。
