PCDB0865G1_R2_00001_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅二極管為獨立式單管結構，具備8A的平均正向整流電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高壓功率應用。其正向壓降（VF）典型值為1.42V，結合碳化硅材料的低反向恢復電荷特性，顯著降低開關過程中的能量損耗。器件具有良好的熱導率和耐高溫能力，可在較高環(huán)境溫度下穩(wěn)定運行。典型應用場景包括高效能電源轉換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)、儲能設備中的整流與續(xù)流單元，以及對能效和空間密度要求較高的電力電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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