R6530KNXC7G-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和24A連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的柵極驅動與器件保護。碳化硅材料賦予其優異的高頻開關性能、高溫工作能力及抗熱失控特性。適用于高效率電源轉換裝置，如大功率開關電源、可再生能源逆變系統、儲能設備中的功率級電路以及對功率密度和熱管理要求較高的電力電子應用。
