P3D06006E2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:6A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，額定正向電流（IF）為6A，反向重復電壓（VR）達650V，適用于中高壓功率轉換應用。其正向導通壓降（VF）典型值為1.36V，具備較低的導通損耗，有助于提升系統能效。得益于碳化硅材料的高熱導率與高擊穿場強，該器件支持高頻開關操作，同時減少反向恢復損耗。典型應用包括高效開關電源、不間斷電源系統、光伏逆變器中的整流模塊以及高功率密度電源適配器，適合對熱性能、轉換效率和長期運行可靠性有較高要求的電力電子電路設計。
