IPA65R110CFDXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具備650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保了器件在復雜工況下的穩定驅動與安全工作。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的開關特性與高溫工作能力，可有效降低系統熱耗散負擔。典型應用包括高密度電源轉換、高頻DC-DC變換器及高性能逆變模塊，適合對功率密度與能效有嚴苛要求的電力電子系統。
