PJMF130N65EC_T0_00001_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和24A連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定的驅動控制與負壓關斷功能。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，器件可在高頻、高溫環境下可靠運行，適用于高功率密度電源轉換設計。典型應用場景包括高效開關電源、太陽能逆變裝置、儲能系統中的功率變換模塊以及對能效和熱性能有較高要求的電力電子設備。
