YJD212040NCFG2Q_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID可達63A，導通電阻RD(ON)低至32mΩ，有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。碳化硅材料的應用使其在高頻、高溫及高電壓環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，適用于電源轉換、新能源設備及高性能電機控制等領域。器件結構設計優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性與可靠性，適合對效率與體積有高要求的電力電子系統(tǒng)應用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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