CI19N120SM_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有優異的高壓與高電流工作性能。器件漏極電流ID為18A，漏源擊穿電壓VDSS達1200V，導通電阻RDON為160mΩ，具備良好的導通損耗與開關損耗平衡特性。適用于高效率功率轉換設備，在高電壓工作環境與中等功率應用場景中表現出色，如新能源系統、精密電源、智能控制模塊及高性能電子設備中均有廣泛應用。
