PCDD1065G1_L2_00001_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.37V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式結構，額定正向電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）達650V，正向壓降（VF）低至1.37V，具備優異的導通效率。得益于碳化硅材料特性，器件具有極快的開關速度與極低的反向恢復電荷，可有效減少開關損耗。其高溫工作性能穩定，適用于高功率密度電源設計，常見于高效能開關電源、大功率充電設備、可再生能源發電系統中的逆變與整流單元，以及不間斷電源和高密度DC-DC轉換模塊，有助于提升整體系統效率并降低熱管理復雜度。
