FFSB0865A-HXY_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:8A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.42V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）為1.42V。其基于碳化硅材料的特性，展現出優異的開關性能與高溫工作穩定性，反向恢復時間極短，能量損耗低。該器件適用于高效率電源轉換場合，如開關模式電源、功率因數校正電路及直流-直流轉換器等，能夠有效提升系統整體能效，并支持更高頻率的工作模式，有助于減小外圍濾波元件的體積與系統整體尺寸。
