HXY40N02DF_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:6.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有30A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源電壓（VDSS）額定值，適用于中等功率的電源開關應用。其低至6.3mΩ的導通電阻（RDON）有助于減少導通損耗，提升系統效率。柵源電壓（VGS）最大為±12V，支持標準邏輯電平驅動，便于與控制電路配合使用。該器件適用于各類電源管理、直流-直流轉換、負載開關及電池供電設備中的功率控制，是實現高效能電子開關的常用選擇。
