YGW50N65T1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT管/模塊具備集電極電流（Ic）50A與集射極擊穿電壓（Vces）650V的參數(shù)特性，適用于較高功率和電壓的應(yīng)用場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。內(nèi)部集成二極管支持正向電流（IF）50A，正向壓降（Vf）為1.85V，表現(xiàn)出良好的續(xù)流能力和穩(wěn)定性。該器件適合用于電源變換、電機驅(qū)動等對性能和可靠性有較高要求的電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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