RGT00TS65DGC13-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.65V 參數4：二極管正向電流:1.45A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電力電子設備。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.65V，有效降低導通損耗，提升系統效率。內置二極管支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.45V，優化了反向恢復性能與能耗表現。該器件采用高可靠封裝結構，兼顧散熱能力與電氣絕緣特性，適用于對穩定性和耐久性有較高要求的功率變換裝置。
